特許

J-GLOBAL ID：200903073108877980

半導体基板の洗浄方法

発明者： 沖 一郎
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-169544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021595
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】 素子分離工程におけるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸(HNO3)+フッ酸(HF)系の洗浄に引続き、塩酸(HCl)又は塩酸(HCl)+過酸化水素水(H2O2)系の洗浄を続けて行う。【効果】 本発明の半導体基板の洗浄方法により、素子分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の素子分離工程に於いて、半導体基板のプラズマエッチング処理後に、硝酸(HNO3)+フッ酸(HF)系の洗浄、および塩酸(HCl)又は塩酸(HCl)+過酸化水素水(H2O2)系の洗浄を連続して行うことを特徴とする、半導体基板の洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316