特許

J-GLOBAL ID：200903073109429239

半導体装置の製造方法

発明者： ▲浜▼嶋 俊樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145366
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045888
出願日： 1989年05月23日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 選択成長材料の成長速度が同条件でほぼ同一のため、生産性を高めることが困難で、速度を高めようとするとホールの有効径が小さくなる等の従来技術の問題を解決する。【解決手段】 半導体領域1上の絶縁膜2にコンタクトホール21を形成し、該ホール底面に金属シリサイド層52を形成し、その後、該シリサイド層の表面を窒化してホール底面にのみ金属窒化膜5を選択的に形成し、ホール内と絶縁膜上に電極材料の選択成長が可能な下地導電層を形成し、該下地導電層を上記金属窒化膜と選択比をとって異方性エッチングし、ホール側壁に下地導電層を残すことにより該ホールの側壁に電極材料の選択成長が可能な材料からなるサイドウォール状の下地導電層を形成し、ホール内に電極材料を選択成長させる工程を具備する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体領域上に形成した絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール底面に金属シリサイド層を形成する工程と、その後、該金属シリサイド層の表面を窒化して該コンタクトホール底面にのみ金属窒化膜を選択的に形成する工程と、上記コンタクトホール内と上記絶縁膜上に電極材料の選択成長が可能な下地導電層を形成する工程と、該下地導電層を上記金属窒化膜と選択比をとって異方性エッチングし、上記コンタクトホール側壁に上記下地導電層を残すことにより該コンタクトホールの側壁に電極材料の選択成長が可能な材料からなるサイドウォール状の下地導電層を形成する工程と、上記コンタクトホール内に電極材料を選択成長させる工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/90 A