特許
J-GLOBAL ID:200903073110337690

非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三枝 英二 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-121311
公開番号(公開出願番号):特開平6-330378
出願日: 1993年05月24日
公開日(公表日): 1994年11月29日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 無電解銅めっき工程を必要とすることなく、電気銅めっき工程のみによって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生産性の向上を図る。【構成】 (1)非導電性材料をシランカップリング剤を含有する溶液で処理する工程、(2)上記(1)工程からの非導電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、(3)上記(2)工程からの非導電性材料を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する工程、(4)上記(3)工程からの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及びグリオキシル酸の少なくとも1種を含有する還元性溶液により還元処理する工程、(5)上記(4)工程からの非導電性材料に電気めっき層を直接形成する工程。
請求項(抜粋):
非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴とする非導電性材料のめっき方法:(1)非導電性材料をシランカップリング剤を含有する溶液で処理する工程、(2)上記(1)工程からの非導電性材料をアニオン性界面活性剤を含有する溶液で処理する工程、(3)上記(2)工程からの非導電性材料を、チオ尿素及びその誘導体からなる含窒素硫黄化合物の少なくとも一種とパラジウム化合物とを含有する溶液で処理する工程、(4)上記(3)工程からの非導電性材料を水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、ヒドロキシルアミン及びグリオキシル酸の少なくとも1種を含有する還元性溶液により還元処理する工程、(5)上記(4)工程からの非導電性材料に電気めっき層を直接形成する工程。
IPC (3件):
C25D 5/54 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/42
引用特許:
審査官引用 (6件)
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