特許

J-GLOBAL ID：200903073118451743

突起電極形成方法

発明者： 鈴木 芳規
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329546
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148379
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 バンプ電極を正確且つ容易に形成する方法を提供する。【解決手段】 回路基板1の導体層2の上に金属ペースト膜3を形成する。金属ペースト膜3にレーザ光5を選択的に投射する。金属ペースト膜3のレーザ光5が投射されなかった領域を超音波洗浄で除去する。金属ペースト膜3のレーザ光5が投射された領域では金属粉末の溶融凝集が生じ、突起電極を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基体の表面に導体層を形成する工程と、導体粉末と有機バインダーとを含む導体ペーストを前記導体層の上に付着させて導体ペースト膜を形成する工程と、前記導体ペースト膜又はこの導体ぺ-スト膜を乾燥させたものの選択された領域にレーザ光を投射して前記有機バインダ-を燃焼飛散させ且つ前記導体粉末を溶融凝集させる工程と、前記導体ペースト膜又はこの導体ペースト膜を乾燥させたものにおけるレーザ光が投射されなかった領域を除去して前記導体層の上に前記溶融凝集に基づく突起電極を生じさせる工程とから成る突起電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/92 603 C ,  H01L 21/92 604 E