特許
J-GLOBAL ID:200903073126469503

熱処理装置、および熱処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松山 允之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-097141
公開番号(公開出願番号):特開2002-299269
出願日: 2001年03月29日
公開日(公表日): 2002年10月11日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、半導体ウェハのような被処理物の熱処理においてスリップの発生を防止しながら装置のスループットを上げることを目的としている。【解決手段】 本発明は、ウェハボートに複数の半導体ウェハを搭載し、これをプロセスチューブ内に装入し、プロセスチューブを加熱して該半導体ウェハに所要の処理を施した後、プロセスチューブ外壁に冷却空気を送入して冷却する工程において、冷却空気を送入する送風機を高温時には低速回転させて徐冷した後、送風機を高速回転させて急冷することを特徴とする半導体基板の熱処理方法である。これにより、半導体ウェハの急速冷却によって生じる半導体ウェハの面内温度差拡大による半導体ウェハ表面のスリップ発生を効果的に防止することができる。この工程を実現する装置としては、送風機の回転数をインバータ回路を用いて制御することにより実現できる。
請求項(抜粋):
加熱炉の炉本体と、該炉本体内に配置された加熱手段と、該炉本体内に配置され、複数の板状被処理体を収容する処理容器と、該処理容器の周囲に冷却気体を接触させて冷却する冷却手段を少なくとも備えた加熱装置において、該冷却気体による冷却の速度を制御する手段を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (3件):
H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B
Fターム (6件):
5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10

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