特許

J-GLOBAL ID：200903073129094012

半導体集積回路及び半導体集積回路のレイアウト方法

発明者： 小山 明夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042011
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242283
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 配線チャネル不足を伴うことなく、電源を補強するための技術を提供することにある。【解決手段】 格子状に整列された複数の基本セルと、上記基本セルの組み合わせによって形成される内部回路に電源を供給するための電源網とを含んで半導体集積回路が形成されるとき、基本セルの形成領域の一部を、電源網に結合されたパスコンデンサの形成領域223,226,232,239とし、このパスコンデンサ形成領域に存在するトランジスタをパスコンデンサとして機能させ、パスコンデンサ形成領域を除く基本セル形成領域にユーザ論理を形成することにより、電源網の配線を広くしたり密度を上げることなく、電源補強を行う。

請求項（抜粋）：

格子状に整列された複数の基本セルと、上記基本セルの組み合わせによって形成される内部回路に電源を供給するための電源網とを含む半導体集積回路において、上記基本セルの形成領域の一部が、上記電源網に結合されたパスコンデンサの形成領域とされ、このパスコンデンサ形成領域に存在するトランジスタがパスコンデンサとして機能されて、上記パスコンデンサ形成領域を除く上記基本セル形成領域にユーザ論理が形成されたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/118 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/173

FI (7件)：

H01L 21/82 C ,  H03K 19/173 ,  H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 L ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 D