特許

J-GLOBAL ID：200903073133376197

半導体超微粒子の製造方法

発明者： 加和 学
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302399
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【課題】 外界の光による着色や沈殿生成等の好ましくない副反応が抑制され、色調、溶解性、粒径制御性が優れた半導体超微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体原料を液相において結晶成長させて半導体超微粒子を製造するにあたり、半導体結晶を成長させる過程を遮光条件下で行う半導体超微粒子の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体原料を液相中において結晶成長させて半導体超微粒子を製造するにあたり、半導体結晶を成長させる過程を遮光条件下で行うことを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/60 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 29/60 ,  H01L 21/208 Z

Fターム (22件)：

4G077AA01 ,  4G077BE33 ,  4G077BE34 ,  4G077CB01 ,  5F053BB01 ,  5F053BB32 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053DD02 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053DD11 ,  5F053DD13 ,  5F053DD14 ,  5F053DD15 ,  5F053DD16 ,  5F053DD17 ,  5F053DD18 ,  5F053DD20 ,  5F053GG02 ,  5F053GG10 ,  5F053LL01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光ディスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-071982   出願人：株式会社東芝
• 光記録媒体の原盤製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184006   出願人：株式会社東芝
• フォトルミネッセンスの消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-275161   出願人：三菱化学株式会社