特許
J-GLOBAL ID：200903073133700431
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268503
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 像面上でマスク遮光領域を透過した光の回折像の振幅が光透過領域の振幅に加わるため、所望の位相シフト効果が得られない。又、位相回復の手法を用いて位相分布を求める際、位相シフトマスクの位相差を高精度で測定できない。【解決手段】 位相シフト及び非位相シフト透過領域に対する回折像振幅の各々と周辺の遮光膜に対する回折像振幅の和の位相が、像面上で互いに180度反転するように上記各透過領域間の位相シフト量又は寸法を調整する。又、マスク測定光学系の開口数を、マスク上構造の特徴的寸法に対して十分に小さな解像度が得られるように設定する。【効果】 上記位相シフトマスクを用いて形成されるパターンの精度、均一性を向上し、これによって製造される半導体装置の性能が向上する。
請求項（抜粋）：
回路パターンを有するマスクを投影レンズを介して半導体装置基板上に投影露光することにより、上記基板上に上記回路パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記マスクは、上記マスク上の遮光領域の両側を透過する光の位相を互いにほぼ反転させる位相シフト透過領域及び非位相シフト透過領域を含む位相シフトマスクであり、位相シフト効果を最も必要とする微細パターンに対して、互いに隣接する位相シフト透過領域と非位相シフト透過領域の各々に対して、上記各透過領域周辺の遮光領域を透過した光の回折像の振幅と上記各透過領域を通過した光の回折像の振幅の和の位相が、像面上で互いに180±1度の範囲で反転するように上記位相シフト透過領域と非位相シフト透過領域間の位相シフト量及び上記各透過領域寸法の少なくともいずれか1つを設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 S
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 516 F
