送受信用光半導体素子及びそれを用いた光通信用モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039141
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235410
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】サイズ及び価格を受信専用モジュール又は送信専用モジュールと同等とし、損失を少なくする。【構成】送受信用光半導体素子7として、GaAs/GaAlAs系DH接合LEDに近い構造の単波長受光素子を1個だけ用い、これに受光、発光の両機能をもたせる。送受信切換用電源回路8から素子7に、これを発光素子として機能させる順方向電圧を印加すると、素子7は発光素子として機能する。これに送信用信号処理回路9から送信用信号が加えられると、その信号を光に変換してファイバ1に出力する。電源回路8から素子7に、これを受光素子として機能させる逆方向電圧を印加すると、素子7は受光素子として機能する。受光素子でファイバ1から出力される信号を電気信号に変換する。受信信号は受信用信号処理回路10に入力処理される。これにより単一素子で単波長受発光が可能となる。

請求項（抜粋）：

発光及び受光の中核をなすpn接合がヘテロ構造をもち、発光素子と受光素子とを兼ね備えた送受信用光半導体素子であって、この素子が多層エピタキシャル成長させた直接遷移型の化合物半導体で構成され、上記pn接合の小面積領域にのみ電流を流す電流狭窄層と、pn接合の一方を構成するエピタキシャル層の表面に光の入出射部とをもち、表裏に電極を取り付けたことを特徴とする送受信用光半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 31/10 , H04B 10/24 , H04B 10/02

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H04B 9/00 G , H04B 9/00 W

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