特許

J-GLOBAL ID：200903073137670561

酸化物のプラズマエッチング方法

発明者： チャン ロン ヤング ,  ジェフリー マークス ,  ニコラス ブライト ,  ケニス エス コリンズ ,  ディヴィッド グローシェル ,  ピーター ケズウィック
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245137
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161702
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】IC構造上のステップの側壁に形成された窒化物を含む窒化物に対して高い選択性を有する酸化物のプラズマエッチング方法を得ること。【構成】窒化物の存在下で酸化物をエッチングするためのプラズマエッチング方法において、一以上のフッ素で置換された炭化水素のエッチングガスとフッ素用のスカベンジャに一以上の水素含有ガスの追加、好ましくは一以上のフルオロ炭化水素ガスを追加すると、基板表面の窒化物部分の形状に無関係に窒化物に対して高い選択性を生じる。好適な実施例においては、一以上の酸素担持ガスがチャンバ表面及びエッチングされる表面上のポリマ堆積速度を減少するために追加される。好ましくは、フッ素スカベンジャはプラズマに関連した電気的に接地された電極である。

請求項（抜粋）：

平坦でない表面上に窒化物を含み,窒化物に対し高い選択性を示す窒化物の存在下において酸化物をプラズマエッチングする方法であって、フッ素スカベンジャの存在下において、a)一以上のフッ素で置換された炭化水素のエッチングガス、及びb)一以上の水素担持ガス、を有する混合ガスに前記酸化物を接触する酸化物をプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/318