特許
J-GLOBAL ID：200903073137902799
荷電粒子線転写用マスクまたはX線転写用マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135103
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 パタ-ン欠陥がないか、或いはパタ-ン欠陥を許容範囲内とした、荷電粒子線転写用のマスクまたはX線転写用のマスクを製造する方法を提供する。【解決手段】 Si層33/中間層32/Si基板31の3段構造を有する部材を用意して、前記Si層上における前記小領域の各設定箇所に、前記転写すべき貫通孔パターンに対応する開孔パターンをそれぞれ形成した後、形成された開孔パターンの欠陥検査を行って欠陥がある場合には、欠陥部分の修正を行い、次に前記Si基板にエッチングを施すことにより、複数の支柱、各支柱間の開口部、Si層及び中間層からなるメンブレンをそれぞれ形成して、さらに前記各開口部において露出した中間層にエッチングを施して前記開孔パタ-ンの開孔部分を貫通させ、前記貫通孔パタ-ンを前記メンブレン上にそれぞれ形成することにより、前記多数の小領域及び境界領域を設ける。
請求項（抜粋）：
ターゲットに転写すべき貫通孔パターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記貫通孔パターンが存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた荷電粒子線転写用ステンシルマスクを製造する方法において、Si層/中間層/Si基板の3段構造を有する部材を用意する工程と、前記Si層上における前記小領域の各設定箇所に、前記転写すべき貫通孔パターンに対応する開孔パターンをそれぞれ形成する工程と、前記工程において形成された開孔パターンの欠陥検査を行う工程と、前記開孔パタ-ンに欠陥がある場合には、欠陥部分の修正を行う工程と、前記Si基板上に、前記小領域の各設定箇所に対応する開口部分をそれぞれ有するレジストパターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層をエッチングマスクにして、前記Si基板にエッチングを施すことにより、複数の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するとともに、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口部と、Si層及び中間層からなるメンブレンをそれぞれ形成する工程と、前記各開口部において露出した中間層にエッチングを施して前記開孔パタ-ンの開孔部分を貫通させ、前記貫通孔パタ-ンを前記メンブレン上にそれぞれ形成することにより、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子線転写用ステンシルマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
