特許
J-GLOBAL ID：200903073148362940
液晶表示素子基板の製造方法、液晶表示素子基板および液晶表示パネル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308514
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 画素内での液晶層の厚さ分布を精度良く制御し、表示の高精細・高品位化を実現する。【構成】 表示電極1-4と金属遮光膜1-2との層間絶縁膜1-3を有する液晶表示素子基板を製造する際、前記金属遮光膜を形成した基板1-1を溶液内に浸漬することにより前記層間絶縁膜を該基板上に析出成長させて形成する。
請求項（抜粋）：
【請求項01】 表示電極と金属遮光膜との層間絶縁膜を有する液晶表示素子基板の製造方法であって、前記金属遮光膜を形成した基板を、溶液内に浸漬することにより前記層間絶縁膜を該基板上に析出成長させて形成することを特徴とする液晶表示素子基板の製造方法。【請求項02】 溶液内に浸漬した基板上に析出成長させて形成した絶縁膜を用いることによって、透明電極または金属電極に起因する基板上の凹凸を平坦化することを特徴とする液晶表示素子基板の製造方法。【請求項03】 前記透明電極または金属電極に起因する基板上の凹凸を2000Å以下としたことを特徴とする請求項2記載の製造方法。【請求項04】 金属電極形成工程、溶液内に浸漬した基板上に絶縁膜を析出成長させる工程、透明電極形成工程、および液晶配向膜形成工程を含む製造方法。【請求項05】 溶液内に浸漬した基板上に析出成長させて形成する絶縁膜の膜厚分布を基板面上の電位分布によって制御することを特徴とする製造方法。【請求項06】 溶液内に浸漬した基板上に析出成長させて形成する絶縁膜の膜厚分布を基板面上に温度分布によって制御することを特徴とする製造方法。【請求項07】 液晶表示素子の1画素毎に上記絶縁膜に膜厚分布を設けたことを特徴とする請求項5または6記載の製造方法。【請求項08】 前記請求項1〜7のいずれかに記載の液晶表示素子基板。【請求項09】 溶液内に浸漬させて基板上に析出成長させて形成する絶縁膜がSiO2 、SiOx 、TiOx 、TaOx 、SiNx 、AlOx およびAlNx のいずれかである請求項8記載の液晶表示素子基板。【請求項10】 2枚の透明基板間に液晶を封入してなる液晶パネルにおいて、少なくとも一方の基板として請求項5〜7のいずれかに記載の液晶表示素子基板を用いることにより、セルギャップを変化させたことを特徴とする液晶表示パネル。【請求項11】 溶液内に浸漬させて基板上に析出成長させて形成する絶縁膜がSiO2 、SiOx 、TiOx 、TaOx 、SiNx 、AlOx およびAlNx のいずれかである請求項10記載の液晶表示素子パネル。【請求項12】 1画素内に連続的に階調表示を実現可能とした請求項10記載の液晶表示素子パネル。【請求項13】 前記液晶が強誘電液晶である請求項10〜12のいずれかに記載の液晶表示素子パネル。
IPC (3件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1335
