特許
J-GLOBAL ID：200903073149130635
成膜時の基板加熱方法および成膜装置の基板加熱機構
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163413
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 MBE等成膜時の基板の加熱を均一化する。【構成】 基板1を複数保持するサセプター3に基板を個別に加熱するヒーター付プレート2を設けそのヒーター付プレート2に基板1を接して加熱する。【効果】 ヒータ付プレート2に基板2を接するので基板内の温度が均一となる。
請求項（抜粋）：
基板を複数枚保持できるサセプターに基板を個別に加熱するヒーター付プレートを個別に配置し、そのヒーター付プレートに基板を接触配置する成膜時の基板加熱方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/68
