特許

J-GLOBAL ID：200903073151942574

太陽電池用シリコン基板の粗面化方法

発明者： 今田 勝大 ,  松野 吉徳 ,  濱本 哲 ,  川間 吉竜
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261008
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池の光電変換特性を向上させる、製造が容易でかつ安価な太陽電池用シリコン基板の粗面化方法及びその方法により製造される多結晶シリコン基板を提供する。【解決手段】 多結晶シリコン基板の表面にマスク用微粒子を全面に分散して付着させる工程と、上記基板表面のマスク用微粒子が付着していない領域をエッチングする工程と、残留するマスク用微粒子を上記基板表面から除去する工程とにより太陽電池用シリコン基板を粗面化する。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン基板の表面に微細な凹凸を賦与する太陽電池用シリコン基板の粗面化方法であって、多結晶シリコン基板の表面にマスク用微粒子を全面に分散して付着させる工程と、上記基板表面のマスク用微粒子が付着していない領域をエッチングする工程と、残留するマスク用微粒子を上記基板表面から除去する工程とを含む太陽電池用シリコン基板の粗面化方法。

Fターム (5件)：

5F051AA03 ,  5F051CB21 ,  5F051CB22 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14