特許
J-GLOBAL ID：200903073153784313
アルミ固体コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099981
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273983
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体の陽極外部電極端子接続部及び導電性高分子層の表面に金属メッキ層を施すことにより陽極外部電極端子接続部の面積を小さくし、小型で大容量のアルミ固体コンデンサを提供すること。【構成】 アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体1の所定部分の表面に絶縁樹脂層2を形成し、該絶縁樹脂層2が形成されない部分に誘電体層1a、導電性高分子層3を順次形成し、誘電体層1aの欠陥部に隣接する導電性高分子層3を局部的に絶縁化し、陽極基体1の絶縁樹脂層2を部分的に除去し、該絶縁樹脂層2を除去した陽極基体1表面と導電性高分子層3の表面に第1の金属メッキ層4を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部5と陰極外部電極端子接続部7としてコンデンサ素子(Ce)を構成し、また、該コンデンサ素子(Ce)を複数個積層して陽極外部電極端子接続部5及び陰極外部端子接続部7の接合部に第2の金属メッキ層12を形成した。
請求項（抜粋）：
アルミ箔又はアルミ板からなる陽極基体の所定部分の表面に絶縁樹脂層を形成し、該絶縁樹脂層が形成されない部分に誘電体層、導電性高分子層を順次形成し、前記誘電体層上の欠陥部に隣接する導電性高分子層を局部的に絶縁化し、前記陽極基体の絶縁樹脂層を部分的に除去し、該絶縁樹脂層を除去した陽極基体表面と前記導電性高分子層の表面に第1の金属メッキ層を形成してそれぞれ陽極外部電極端子接続部と陰極外部電極端子接続部としてコンデンサ素子を構成し、該コンデンサ素子の陽極外部電極端子接続部及び陰極外部電極端子接続部にそれぞれ陽極外部電極端子及び陰極外部電極端子を接続したことを特徴とするアルミ固体コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01G 9/05 M
, H01G 9/05 G
, H01G 9/05 L
