特許
J-GLOBAL ID：200903073160039860
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥村 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209890
公開番号（公開出願番号）：特開平11-036054
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：
【要約】【課題】 高静電容量を持つ電解コンデンサ用電極箔を得ることのできるアルミニウム箔の製造方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム純度が99.9重量%以上の鋳塊に、均質化処理,熱間粗圧延,熱間仕上げ圧延及び冷間圧延を施す。この際、、熱間粗圧延における圧延率を80〜95%の範囲内にする。また、粗圧延終了温度を250〜480°Cの範囲内とする。そして、粗圧延終了時に再結晶させ、その後は、再結晶させない。これによって、表面に微細な析出物が集積され、内部には析出物が少ないアルミニウム箔を得ることができる。【効果】 このアルミニウム箔にエッチング処理すると、表面でのエッチング性に優れ、内部に進行するにしたがって、エッチング性が低下するので、表面に生成したエッチピットの合体を防止できる。従って、エッチピットの合体による表面積の低下を防止でき、高静電容量の電極箔を得ることができる。
請求項（抜粋）：
アルミニウム純度が99.9重量%以上の鋳塊に、均質化処理,熱間粗圧延,熱間仕上げ圧延及び冷間圧延を施して電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を製造する方法において、前記熱間粗圧延における圧延率を80〜95%の範囲内にすると共に、熱間粗圧延終了温度を250〜480°Cの範囲内として再結晶させ、前記熱間仕上げ圧延以降の工程では、再結晶させないことを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法。
IPC (10件)：
C22F 1/04
, B21B 1/40
, C22C 21/00
, H01G 9/055
, C22F 1/00 622
, C22F 1/00 661
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 685
, C22F 1/00 694
, C22F 1/00
C22F 1/04 K
, B21B 1/40
, C22C 21/00 H
, C22F 1/00 622
, C22F 1/00 661 Z
, C22F 1/00 683
, C22F 1/00 685 Z
, C22F 1/00 694 A
, C22F 1/00 694 B
, H01G 9/04 346
