半導体装置用電極又は配線材料及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植木久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172826
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037186
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】電極又は配線とした際の上面だけではなく側面も含む全表面における耐ヒロック性に優れ、しかも比抵抗の低い半導体装置用電極又は配線材料を提供し、しかも特別な熱処理を行う必要のない半導体装置用電極又は配線材料の製造方法を提供する。【構成】 Arを0.1〜6.5原子%含有するAl基合金を、半導体装置用電極又は配線材料とする。また該半導体装置用電極又は配線材料を製造するにあたっては、3〜50mtorrのArガス雰囲気中でAlまたはAlを主成分とする合金をターゲットとしてスパッタリングを行う。

請求項（抜粋）：

Arを0.1〜6.5原子%含有するAl基合金よりなることを特徴とする半導体装置用電極又は配線材料。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/14 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 21/203 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-219224
特開平2-219224
特開昭63-019840

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