特許

J-GLOBAL ID：200903073163003808

表面近傍結晶欠陥の検出方法およびその装置

発明者： 古川 純 ,  降屋 久 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-294422
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 結晶の内部欠陥を検出する際の深さ方向分解能を高める。【構成】 波長の異なるレーザ光を、同一位置からシリコンウェーハ11内部に入射する。入射光により発生した光散乱を内部欠陥として検出する。波長に応じてレーザ光の侵入深さが異なるので、それぞれの波長による光散乱の散乱中心の個数差を算出することにより、シリコンウェーハ11内部結晶欠陥の深さ方向の分解能が高めることができる。すなわち、結晶の内部欠陥を深さ方向において正確に測定することができる。ここに、内部欠陥とは、酸素析出物、積層欠陥、転位、双晶面、偏析等をいう。または、同一波長で出力を変更して深さ方向の分解能を高める。

請求項（抜粋）：

結晶表面から光を入射し、その散乱光を検出することにより、その表面近傍の結晶欠陥を検出する方法において、結晶表面の同一位置に侵入深さの異なる光をそれぞれ入射して、これらの検出値の差に基づいて結晶欠陥を検出する表面近傍結晶欠陥の検出方法。

IPC (3件)：

G01N 21/27 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-221850
  
• 特開昭63-018250
  
• 特開平1-131436