特許
J-GLOBAL ID：200903073165240971
半導体圧力センサーの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265180
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120526
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 圧力センサーの圧力基準室の深さを均一にする。【構成】 シリコン基板上に第1の酸化膜を形成する工程と、該酸化膜の一部を除去する工程と、前記酸化膜上に多結晶シリコンを成膜する工程と、前記多結晶シリコン上に第2の酸化膜を成膜し、パターニングする工程と、第2の酸化膜とエッチングにより現れた部分の第1の酸化膜を除去する工程からなる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の一部を肉薄にしてダイヤフラム構造とし、該ダイヤフラム上に圧力基準室を設けた半導体圧力センサーの製造方法において、シリコン基板上に第1の酸化膜を成膜する工程と、前記酸化膜の一部を除去する工程と、前記酸化膜上に多結晶シリコンを成膜する工程と、前記多結晶シリコン上に第2の酸化膜を成膜し、パターニングする工程と、第2の酸化膜をマスクとして多結晶シリコンをエッチングする工程と、第2の酸化膜とエッチングによりあらわれた部分の第1の酸化膜を除去する工程を有することを特徴とする半導体圧力センサーの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01H 35/34
