特許
J-GLOBAL ID：200903073167657993

発光型有機TFT素子

発明者：
都甲 康夫

都甲 康夫 について

, 
半那 純一

半那 純一 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について

, 
半那 純一

半那 純一 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103603
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311221
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】横電界型の発光型有機半導体素子を提供する。【解決手段】発光型有機TFT素子は、所定距離だけ離れて対向配置された第1及び第2の基板と、前記第1の基板上に形成された、絶縁膜に覆われた第1の電極と、第1の基板上で第1の電極と平面視上位置合わせして形成された第2の電極と、前記第1又は第2の基板上に形成された、前記第1および第2の電極と平面視上位置合わせして、前記第2の電極との間に所定幅のスリットを形成する第3の電極と、前記第1及び第2の基板間に挟持された有機半導体材料層と、を有し、前記第1の電極が、平面視上少なくとも前記スリットと対応する領域に形成され、前記第2の電極及び前記第3の電極の間に所定の電圧を印加した状態で、該第1の電極に印加する電圧を制御することにより、前記第2の電極と前記第3の電極が近接する所定の領域付近における発光の輝度を制御することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定距離だけ離れて対向配置された第1及び第2の基板と、 前記第1の基板上に形成された、絶縁膜に覆われた第1の電極と、 第1の基板上で第1の電極と平面視上位置合わせして形成された第2の電極と、 前記第1又は第2の基板上に形成された、前記第1および第2の電極と平面視上位置合わせして、前記第2の電極との間に所定幅のスリットを形成する第3の電極と、 前記第1及び第2の基板間に挟持された有機半導体材料層と、 を有し、前記第1の電極が、平面視上少なくとも前記スリットと対応する領域に形成され、前記第2の電極及び前記第3の電極の間に所定の電圧を印加した状態で、該第1の電極に印加する電圧を制御することにより、前記第2の電極と前記第3の電極が近接する所定の領域付近における発光の輝度を制御することができる発光型有機TFT素子。
IPC (7件)：
H05B33/26 ,  C09K11/06 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (7件)：
H05B33/26 Z ,  C09K11/06 635 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 622
Fターム (34件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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