特許

J-GLOBAL ID：200903073171230406

配線形成方法及びその装置

発明者： 佐々木 達也 ,  井上 裕章 ,  小畠 厳貴
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-001468
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214508
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】導電層(シード層)のステップカバレッジ性及び配線溝の幅の大小に依存せずに、配線を均一性良く形成することができる配線形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】基板Wの表面に形成された配線溝4に配線材料を埋め込んで配線を形成する配線形成方法であって、基板Wの表面及び配線溝4に予め形成されたバリアメタル6及び導電層7のうち、導電層7を基板Wの表面及び配線溝4の側面から除去する導電層除去工程と、該導電層除去工程の後に配線溝4の底面に残留する導電層7の上に金属膜13を形成する金属膜形成工程と、を備えた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成された配線溝に配線材料を埋め込んで配線を形成する配線形成方法であって、 基板の表面及び前記配線溝に予め形成されたバリアメタル及び導電層のうち、前記導電層を基板の表面及び前記配線溝の側面から除去する導電層除去工程と、前記導電層除去工程の後に前記配線溝の底面に残留する導電層の上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を備えることを特徴とする配線形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/3205 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

FI (9件)：

H01L21/88 K ,  C23C18/16 B ,  C23C18/16 Z ,  C23C18/31 E ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 M ,  H01L21/88 R

Fターム (37件)：

4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022CA01 ,  4K022CA11 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4K022DB14 ,  4K022DB15 ,  4K022DB18 ,  4K022EA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB06 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024DB01 ,  4K024GA16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW00 ,  5F033XX01