特許
J-GLOBAL ID：200903073172316657
シリコン結晶の引上げ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294789
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 チャンバ内にシリコンメルトが不在の状態での水素処理を簡単に実現することができるようにする。結晶引上げの安全性向上、コスト低減を図る。【構成】 シリコン原料が不在の炉内チャンバへ不活性ガスと共に水素ガスを導入し、上記チャンバ内の炉部材に対して高温水素処理を施した後に、その水素処理済の炉部材を用いてシリコン単結晶成長処理を行うことで、シリコン原料が不在の状態で炉部材に高温水素処理を施す。または、少なくとも100Wppmの水素原子を含んだシリコン原料を用いて単結晶成長処理を行うことにより、シリコン原料中に含有された、原料が溶け出す前の温度でそのほとんどがチャンバ内に発散される水素原子によって水素処理を行う。
請求項（抜粋）：
シリコン原料が不在の炉内チャンバへ不活性ガスと共に水素ガスを導入し、前記チャンバ内の炉部材に対して高温水素処理を施した後に、その水素処理済の炉部材を用いてシリコン単結晶成長を行うことを特徴とするシリコン結晶の引上げ方法。
IPC (3件)：
C30B 27/02
, C30B 15/10
, C30B 29/06 502
