特許

J-GLOBAL ID：200903073173707110

導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置

発明者： 藤沢 章 ,  奈良 正俊 ,  末吉 幸雄 ,  平田 昌宏
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社 ,  鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350208
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260448
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 直上に形成する層、例えば光電変換層、特に結晶性シリコン薄膜との界面剥離を抑制できる導電膜を提供する。【解決手段】 基板5上に形成された導電膜3であって、高さ250nm以上の凸部の底面の面積の合計が、この導電膜が形成された面の面積の5%以上に相当する導電膜とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された導電膜であって、高さ250nm以上の凸部の底面の面積の合計が、前記導電膜が形成された面の面積の5%以上に相当する導電膜。

IPC (4件)：

H01B 5/14 ,  C23C 16/30 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 16/30 ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030BA47 ,  4K030BB11 ,  4K030CA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CB12 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC05 ,  5G307FC10 ,  5G323BB03 ,  5G323BB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-313874
  
• シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066546   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開昭63-313874