特許
J-GLOBAL ID：200903073174654509
ゲート型光スイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-095094
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 低偏波依存、高性能、モノリシック集積化可能な光スイッチを実現する。【構成】 半導体基板上に形成されたpn接合を有するゲート型光スイッチにおいて、活性層30を第1の活性層30Aおよび第2の活性層30Bで構成し、第1の活性層30Aを格子整合井戸層31と引張り歪障壁層32とから構成される量子井戸とし、第2の活性層30Bを格子整合井戸層33と引張り歪障壁層34とからなる量子井戸とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたpn接合を有するゲート型光スイッチにおいて、第1の活性層と第2の活性層とが積層された活性層を有し、前記第1の活性層が、バルク結晶、格子整合井戸層と障壁層とから構成される量子井戸、または圧縮歪井戸層と格子整合障壁層とから構成される量子井戸からなり、前記第2の活性層が、格子整合井戸層と引張り歪障壁層とから構成される量子井戸からなることを特徴とするゲート型光スイッチ。
IPC (4件)：
G02F 1/35
, G02F 1/025
, H01S 3/18
, H01L 27/15
