特許
J-GLOBAL ID：200903073184453749

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者：
鹿島 直敏

鹿島 直敏 について

, 
田中 裕治

田中 裕治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-038903
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229070
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】逆方向リーク電流を十分に低減させ、しかも、順方向の電圧降下を抑制して、順方向の直線性を維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 【解決手段】第一導電型の半導体基板1上に形成された第一導電型のエピタキシャル層2表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極5が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング6が形成される。アノード電極の下方のエピタキシャル層の内部に、複数の第二導電型埋め込み層3を備える。複数の第二導電型埋め込み層の間の間隙中、または第二導電型埋め込み層が配置された領域の上部の少なくとも一方に、エピタキシャル層よりも高濃度の第一導電型半導体層7が配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第一導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面にショットキー接合を形成して設けられたアノード電極と、前記半導体基板の裏面にオーミック接触するカソード電極と、前記エピタキシャル層の表面部に形成され、前記アノード電極と接触するとともに前記アノード電極の下部領域を包囲する第二導電型のガードリングと、前記アノード電極の下方の前記エピタキシャル層の内部に、前記半導体基板の面方向に配列されて埋め込まれた複数の第二導電型埋め込み層とを備えたショットキーバリアダイオードにおいて、 前記複数の第二導電型埋め込み層の間の間隙中および前記複数の第二導電型埋め込み層の上部領域のうちの、少なくとも一方に、前記エピタキシャル層よりも高濃度の第一導電型半導体層が配置されたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (1件)：
H01L29/48 F
Fターム (7件)：
4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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