特許

J-GLOBAL ID：200903073185388797

発光ダイオード

発明者： 渡辺 昌規 ,  近藤 正樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188450
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 光出射効率を向上でき、かつ、製造工程が簡単な発光ダイオードを提供する。【構成】 この発光ダイオードにおいては、n型GaAs基板10上のSiO2マスク膜11の開口部25上に形成され、基板10の表面に略平行な上面と、上記上面の結晶成長速度よりも成長速度が遅い側面とを含む凸形状のn型GaAs台座層12を有しているので、結晶成長工程を中断することなく、発光ダイオードの表面が凸型形状を有した構造を作製できる。また、n型GaAs台座層12の上面上に選択的にn型GaInP中間バンドギャップ層13を形成しているので、台座層12を基礎部とする凸型メサ形状部40の中心部に電流を絞ることができ、上記中心部に対向する領域の発光層15を集中的に発光させることができる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、開口部を有するマスク膜と、上記開口部上に形成され、上記半導体基板の表面に略平行な上面と、上記上面の結晶成長速度よりも成長速度が遅い側面とを含む凸形状の第1導電型半導体台座層と、上記第1導電型半導体台座層の上面上の部分が、上記第1導電型半導体台座層の側面上の部分よりも厚く、かつ、上記台座層よりもバンドギャップが大きな第1導電型半導体中間バンドギャップ層とを備え、上記中間バンドギャップ層上に、少なくとも、上記中間バンドギャップ層よりバンドギャップの大きな第1導電型半導体クラッド層と、第2導電型半導体クラッド層を、順に積層したことを特徴とする発光ダイオード。