特許

J-GLOBAL ID：200903073186067498

薄膜形成方法

発明者： 嶋谷 秀諭 ,  合田 晋二 ,  伊藤 茂樹
出願人/特許権者： エア・ウォーター株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-103396
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281085
出願日： 2006年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】大気圧下でのプラズマCVDにより、基材Aの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマCVDにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が5〜90kHzの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Aの温度が25〜90°Cの範囲内に設定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

大気圧下でのプラズマCVDにより、基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマCVDにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が5〜90kHzの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材の温度が25〜90°Cの範囲内に設定されることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/503

FI (2件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/503

Fターム (21件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA07 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  5F058BA04 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜形成方法、基材、光学フィルム及び画像表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296651   出願人：コニカ株式会社