特許

J-GLOBAL ID：200903073187274535

パターン形成方法

発明者： 近藤 洋文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251188
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090640
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 微細かつ高精度なパターン、および合わせ精度の高いパターンを形成することができ、同時に環境問題の改善、コストの低減化をはかる。【解決手段】 レジスト膜を形成し、これの上に極性基としてカルボン酸アミン塩基を持つパーフルオロポリエーテル化合物膜による反射防止膜を形成し、その後パターン露光を行う。

請求項（抜粋）：

レジスト膜の形成工程と、該レジスト膜上に、下記一般式1もしくは一般式2で示される極性基としてカルボン酸アミン塩基を持つパーフルオロポリエーテル化合物膜による反射防止膜を形成する工程と、該反射防止膜を通じて上記レジスト膜をパターン露光する工程と、上記レジストを現像する工程とをとることを特徴とするパターン形成方法。(一般式1)Rf -COO- HN+ R1 R2 R3(一般式2)R1 R2 R3 N+ O- CO-Rf -COO- HN+ R1 R2 R3但し、Rf はパーフルオロポリエーテル基を示す。R1 、R2 、R3 は水素あるいは炭化水素を示し、その中の少なくとも一つは炭素数10以上の炭化水素を示す。

IPC (5件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 F ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 574