特許

J-GLOBAL ID：200903073188039980

半導体装置製造用研磨剤及び研磨方法

発明者： 讃良 憲一 ,  高島 正之 ,  ▲すくも▼田 篤
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001667
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Siウェハ上の金属膜を化学的機械研磨(CMP)する技術であり、研磨剤粒子の水への分散工程が不要で、スラリー中での粒子の分散性が極めて良く、長期間保存しても粒子の凝集や沈降がなく、また粒子は球形で粒径を制御できるため研磨面が損傷せず安定な研磨特性が得られ、粒子を樹脂にして研磨後酸素プラズマ灰化により研磨面から完全に除去でき、傷やディッシング、残留粒子のない研磨表面が得られるので、信頼性や製品歩留まりの低下等の製造時の不良発生がなく、かつ半導体装置の生産に十分対応できる速度で研磨可能な研磨剤及び研磨方法を提供する。【解決手段】 乳化重合で得られるビニール化合物重合体樹脂粒子を含有し、かつβ-ジケトン化合物と過酸化水素を含む水素エマルジョンからなる研磨剤を用いて、Siウェハ上の金属膜をCMP法により研磨する研磨方法である。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、乳化重合により得られるビニル化合物重合体樹脂粒子を含有し、かつβ-ジケトン化合物と過酸化水素を含有する水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 K ,  C09K 3/14 550 H ,  C09K 3/14 550 M ,  H01L 21/304 622 A