特許

J-GLOBAL ID：200903073190241168

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 橘野 裕 ,  矢野 幸太郎 ,  坂脇 彰 ,  川崎 計二
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192044
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045922
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 気相からの堆積法を用いるCVD法等に比べ容易かつ確実な多結晶シリコン膜の形成方法及び、容易かつ確実な多結晶シリコン薄膜トランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させることにより形成したa-Si膜にエネルギービームを照射して多結晶シリコン膜を形成する。または、多結晶シリコン薄膜トランジスタの形成工程において基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させることにより形成したa-Si膜にエネルギービームを照射して多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコン膜を形成する方法において、前記基板上にSim H2m+2あるいはSin H2n(ただし、m、nはm≧5、n≧4であるような整数)を含有する液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させることにより形成したアモルファスシリコン膜に、エネルギービームを照射することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 27/12 R