特許
J-GLOBAL ID:200903073191794420

パワー半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-238094
公開番号(公開出願番号):特開2000-068446
出願日: 1998年08月25日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】封止材の熱膨張,収縮に伴い、上下2層の基板間を電気的に接続するリードピンのはんだ接合部に生じる応力を緩和するパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】蓋板10の裏面に、制御回路用プリント基板13を上側から押さえつける突起11を形成する。【効果】蓋板裏面の突起が、シリコーンゲルの熱膨張に伴う制御回路用プリント基板の上方向の変位を抑制し、当該プリント基板とリードピンのはんだ接合部に生じる応力を緩和する。
請求項(抜粋):
外周部に樹脂ケースを有する金属ベース上面にパワー半導体チップを備えたパワー回路部を搭載し、前記パワー回路部上に制御回路を有する制御回路部を備え、前記パワー回路部と前記制御回路部間を金属の電極で接続し、ゲル状樹脂を前記ケース内部に充填し、前記制御回路部の上方に蓋板を備え、前記蓋板の裏面に制御回路部を上側から押さえる突起を有することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18

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