特許

J-GLOBAL ID：200903073196558236

半導体レーザー装置

発明者： 瀬 古 保 次
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 本庄 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048201
出願日： 1991年08月17日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 バンドギャップの大きい材料であるAlGaP系材料を使用して、短波長光を発する半導体レーザー装置を提供すること。【構成】 (Alc Ga1-c P)m /(Ald Ga1-d P)n 超格子を複数周期形成したものをコンファインメント層に使用し、それよりバンドギャップが大きいAla Ga1-a Pをクラッド層に使用すれば、半導体レーザー装置に好都合なダブルヘテロ構造が得られる。これらは、バンドギャップが大であるので、活性層にもバンドギャップが大なる材料(例、Alx Gay In1-x-y P歪み量子井戸)を使うことが出来る。コンファインメント層の間に活性層を挟むことによりSCH構造が得られ、短波長(600nm以下)のレーザー光を得ることが出来る。また、クラッド層として使用するAla Ga1-a Pの混晶比(aに依存)を、n型のクラッド層でのaの値をp型のクラッド層より大にしてやることにより、キャリアのオーバーフローを防止することが出来る。

請求項（抜粋）：

Ala Ga1-a Pを使用したクラッド層と、タイプIIのエネルギーバンド構造の(Alc Ga1-c P)m /(Ald Ga1-d P)n 超格子を複数周期使用したコンファインメント層と、Alx Gay In1-x-y P歪み量子井戸を使用した活性層とを具え、0≦a≦1,0≦c≦1,0≦d≦1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1とし、m,nは自然数としたことを特徴とする半導体レーザー装置。