特許

J-GLOBAL ID：200903073197209413

酸化膜形成方法とその装置

発明者： 西口 哲也 ,  一村 信吾 ,  野中 秀彦 ,  森川 良樹 ,  野寄 剛示 ,  花倉 満
出願人/特許権者： 株式会社明電舎 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 橋本 剛 ,  鵜澤 英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-326760
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080474
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】均一で高品質な絶縁膜を作成、特に300°C以下の低温プロセスのみで高品質な絶縁膜を作成する。【解決手段】基板100を保持するヒーターユニット14を格納した反応炉10と、有機シリコンまたは有機金属を含有する原料ガスを反応炉10内に導入する原料ガス導入バルブV1を備えた配管11と、オゾン含有ガスを反応炉10内に導入するオゾン含有ガス導入バルブV2を備えた配管12と、反応炉10内のガスを排出する排気バルブV3を備えた配管13とを備え、前記原料ガスとオゾン含有ガスを交互に反応炉10内に供給するように原料ガス導入バルブV1とオゾン含有ガス導入バルブV2と排気バルブV3が開閉動作する際、オゾン含有ガス導入バルブV3は前記オゾン含有ガスのオゾン濃度が0.1〜100vol%となるように動作する共に、ヒーターユニット14は基板100の温度を室温から400°Cまでの範囲で調整する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si(シリコン)-O(酸素)結合若しくはSi(シリコン)-C(炭素)結合を有する有機シリコンまたは金属元素-酸素結合若しくは金属元素-炭素結合を有する有機金属を含有する原料ガスとオゾン含有ガスとを交互に基板に供給して、この基板の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成方法であって、 前記基板の温度を室温から400°Cの範囲で調整する共に、前記オゾン含有ガスのオゾン濃度を0.1〜100vol%の範囲で調整すること を特徴とする酸化膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 B

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030FA17 ,  4K030LA02 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD07 ,  5F045AE01 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE19 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164405   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-051651   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-358537   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-358537   出願人：富士通株式会社