特許
J-GLOBAL ID：200903073201299139
半導体素子冷却ユニット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202831
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053376
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】冷却空気の流れの方向による半導体素子の冷却のばらつきを減らす。【構成】吸熱ブロック2の下部の外面に複数個の半導体素子8を取り付ける。吸熱ブロック2の内部は中空とし、下部に冷媒1を注入する。吸熱ブロック2の上部の側面には、凝縮部4と放熱板6Aを交互に隣接した放熱部3を設ける。
請求項（抜粋）：
相変化する冷媒が注入された吸熱ブロックの片側の外面に複数の半導体素子が取り付けられ、前記吸熱ブロックの内部で気化した前記冷媒が冷却され凝縮される放熱部が前記吸熱ブロックの他側に設けられた半導体素子冷却ユニットにおいて、前記吸熱ブロックを角筒状として下部に液化した前記冷媒を貯留し、前記吸熱ブロックの上部の側面に、前記放熱部を連結したことを特徴とする半導体素子冷却ユニット。
引用特許：
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