特許
J-GLOBAL ID：200903073204139388
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323641
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134537
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】金属電極部を効率的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の表面のパッシベーション膜4には、パッド部3を露出させる開口5が形成される。この開口5内には、バリアメタル膜6を配置した後、インクジェットノズル10から金属ペーストを吐出させることによって、金属電極部8が配置される。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面の保護膜に内部配線との接続用パッドを露出させる開口を形成する工程と、インクジェットノズルから金属ペーストを上記開口に向けて吐出させ、上記接続用パッドと電気接続される金属電極部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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