特許
J-GLOBAL ID：200903073208387009
マグネトロンスパッタリングのシミュレーション装置及 び方法並びに方法を使用したマグネトロンスパッタリン グ装置の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280010
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【構成】 磁場及び電場の分布データに基づいて、複数の電子の軌道をベクトル処理で計算する。これにより、不活性ガスイオン18の発生位置を求め、この発生位置に基づいてターゲット66のエロージョン形状を計算する。さらに、ターゲット66のエロージョン形状に基づいてターゲット粒子20の放出位置及び速度を算出して基板70の膜厚を算出する。【効果】 複数の電子の軌道をベクトル処理で計算することにより、計算の高速化を図ることができる。従って、形状が複雑な3次元的な矩形状のマグネトロンスパッタリング装置のターゲットエロージョン分布のシミュレーション解析時間を短くすることができる。また、ターゲットのエロージョン分布のシミュレーション解析結果を利用して膜厚分布をシミュレーション解析することができる。さらに、矩形状のマグネトロンスパッタリング装置の最適設計を行うことができる。
請求項（抜粋）：
電子の軌道を制御する磁場を形成する磁場発生手段を備え、前記電子と不活性ガスの衝突で生成された不活性ガスイオンを電場で加速してターゲットに衝突させてターゲットからスパッタ粒子を放出し、該放出されたスパッタ粒子で基板を成膜するマグネトロンスパッタリングのシミュレーション装置において、前記磁場発生手段のデータ及び/又は磁場分布のデータ、及び電場分布のデータを入力する入力部と、該入力部から入力されたデータに基づいて、複数の電子の軌道をベクトル処理で計算して、前記不活性ガスイオンの発生位置を求め、該求められた不活性ガスイオンの発生位置に基づいて前記ターゲットのエロージョン形状を計算する演算部と、を備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタリングのシミュレーション装置。
IPC (2件)：
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