特許
J-GLOBAL ID：200903073221921545
薄膜積層体検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190356
公開番号（公開出願番号）：特開平10-038821
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】X線反射率法による薄膜積層体の検査方法において、隣り合った膜の密度差が非常に小さい場合でも高い精度で検査可能なX線反射率法による薄膜積層体検査方法を提供すること。【解決手段】積層体中、最も密度差の小さい隣り合った膜の主構成元素の吸収端波長をλ0とした時、(|λ-λ0|/λ0)x100≦1%を満たす波長λを用いたX線反射率法による薄膜積層体検査方法。また、該波長λに該元素のKβ線を用いること、及び積層体中隣り合った3層の膜の中間層の主構成元素のKβ線を用いたX線反射率法による薄膜積層体検査方法。【効果】従来、検査が不可能かあるいは検査精度が非常に悪い場合にも、本発明により高い精度で検査可能になると共に検査対象範囲の拡大につながる。また、通常の管球型X線源が適用できるため、薄膜積層体プロセス現場での検査が迅速に行えるという効果がある。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した積層体にX線を低角度で入射し、積層体からのX線反射率を測定することによる薄膜積層体検査方法において、積層体中密度差10%以下の隣り合った膜(基板を含む)の主構成元素A,Bの吸収端波長をλ(A),λ(B)としたとき、(|λ-λ(A)|/λ(A))x100≦1%あるいは(|λ-λ(B)|/λ(B))x100≦1%を満たす波長λを入射X線として使用することを特徴とする薄膜積層体検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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