特許

J-GLOBAL ID：200903073233579141

高誘電率電子部品とその製造方法

発明者： 大谷 成元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287769
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140571
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 PbTiO3 系の高誘電率の誘電体膜を有する電子部品とその製造方法に関し、良好な絶縁特性と、高い誘電率を有するPbTiO3 系誘電体膜を有する電子部品を提供することを目的とする。【構成】 本発明の高誘電率電子部品は、導電性の表面を有する下地基板と、前記下地上に形成されたPb1+x TiO3 (0.4≦x≦0.8)の結晶性薄膜とを有する。また、本発明の高誘電率電子部品は、導電性の表面を有する下地基板と、前記下地上に形成されたPb1+x Ti1-y Biy O3 (0.4≦x≦0.8、0.2≦y≦0.4)の結晶性薄膜とを有する。

請求項（抜粋）：

導電性の表面を有する下地基板と、前記下地上に形成されたPb1+x TiO3 (0.4≦x≦0.8)の結晶性薄膜とを有する高誘電率電子部品。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/314