特許

J-GLOBAL ID：200903073237313197

超電導装置

発明者： 野村 俊自 ,  山田 穣 ,  浦田 昌身
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068930
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265816
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】強い磁場の印加制御及び印加停止制御を簡単かつ短時間に行うことができ、しかもランニングコストの低減を図れる超電導装置を提供する。【解決手段】断熱容器4内に酸化物系超電導バルク材5と該バルク材に巻装されて酸化物系バルク材に磁束をトラップさせるときだけ付勢されるコイル6とからなる磁石要素7を収容してなる磁場発生装置3a、3bと、この磁場発生装置3a、3b内の酸化物系超電導バルク材5を臨界温度以下に冷却して磁束のトラップ状態を維持させる冷却装置11と、磁場発生装置3a、3bと該磁場発生装置から磁場の印加を受ける被印加対象物1との間に挿脱自在に設けられて被印加対象物1への磁場印加及び磁場印加停止を制御する超電導磁気遮蔽装置15a、15bとを備えている。

請求項（抜粋）：

断熱容器内に酸化物系超電導バルク材と該バルク材に巻装されて上記酸化物系バルク材に磁束をトラップさせるときだけ付勢されるコイルとからなる磁石要素を収容してなる磁場発生装置と、この磁場発生装置内の前記酸化物系超電導バルク材を臨界温度以下に冷却して磁束のトラップ状態を維持させる冷却装置と、前記磁場発生装置と該磁場発生装置から磁場の印加を受ける被印加対象物との間に挿脱自在に設けられて上記被印加対象物への磁場印加及び磁場印加停止を制御する超電導磁気遮蔽装置とを具備してなることを特徴とする超電導装置。

IPC (2件)：

H01F 6/04 ZAA ,  H01F 6/00 ZAA

FI (2件)：

H01F 7/22 ZAA G ,  H01F 7/22 ZAA F