特許
J-GLOBAL ID：200903073247996764
薄膜キャパシタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268156
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 物理的成膜手法により作製した高誘電率膜を用いた薄膜キャパシタのリーク電流の増加を抑制する。【構成】 層間絶縁膜102およびコンタクト103上に下部電極104、高誘電率の誘電体105、上部電極106が積層された薄膜キャパシタであって、所望の大きさに加工された下部電極104直下の層間絶縁膜102の膜厚が下部電極104周辺の層間絶縁膜102の膜厚よりも大きく、該下部電極104の上面および側面を高誘電率の誘電体105および上部電極106で覆うことを特徴とする薄膜キャパシタである。これにより、下部電極104の側面下端部で高誘電率の誘電体105の膜厚が極端に小さくなることによるリーク電流の増加を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜およびコンタクト上に下部電極、高誘電率の誘電体、上部電極が積層された薄膜キャパシタであって、所望の大きさに加工された下部電極直下の層間絶縁膜の膜厚が下部電極周辺の層間絶縁膜の膜厚よりも大きく、該下部電極の上面および側面を高誘電率の誘電体および上部電極で覆うことを特徴とする薄膜キャパシタ。
引用特許：
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