特許
J-GLOBAL ID：200903073252816499
半導体装置の解析方法および解析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012455
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205122
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の異素材,同素材,拡散層の境界を、安全に再現性良く明確化し、走査型電子顕微鏡で容易に不良解析することができる。【解決手段】 解析断面を切り出した半導体装置Pを解析装置内に設置し、半導体装置Pの解析断面をプラズマエッチングし、半導体装置Pを解析装置から取り出し走査型電子顕微鏡にて解析断面を解析する。解析装置は、エッチングチャンバ10と、エッチングチャンバ10内に取り出し可能に設けられ半導体装置Pを支持する半導体支持治具21と、エッチングチャンバに接続したガス排気ライン15,ガス導入ライン16と、ガス導入ライン16に接続したエッチングガスボンベ18,19,20と、エッチングチャンバ10に設置し高周波電源14を接続した電極11,12からなる。
請求項（抜粋）：
解析断面を切り出した半導体装置をプラズマエッチング装置内に設置する過程と、前記半導体装置の解析断面をプラズマエッチングする過程と、前記半導体装置を前記プラズマエッチング装置から取り出し走査型電子顕微鏡にて前記解析断面を解析する過程とを含む半導体装置の解析方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 1/28
, G01N 1/32
, H01L 21/3065
H01L 21/66 N
, G01N 1/32 B
, G01N 1/28 F
, H01L 21/302 C
