特許

J-GLOBAL ID：200903073254890360

高アスペクト比パターンの形成方法

発明者： 斎藤 弘道 ,  堀田 英輔
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083559
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277524
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】メタルパターンの転倒を防止できることを課題とする。【解決手段】Si基板11上にSiO2 膜12を介してSiN層13を形成する工程と、前記SiN層13上でかつ高アスペクト比を有するメタルパターン形成予定領域の両側に第1のレジストパターン14を形成する工程と、前記第1のレジストパターン14を用いて前記SiN層13を選択的にエッチング除去し、SiNパターン(補助パターン)13 ́を形成する工程と、前記第1のレジストパターン14を除去した後、全面にアルミ層15を形成する工程と、前記アルミ層15上でかつメタルパターン形成予定領域に第2のレジストパターン16を形成する工程と、前記第2のレジスト16を用いて前記アルミ層15を選択的にエッチング除去する工程とを具備することを特徴とする高アスペクト比パターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

基材上に補助材料層を形成する工程と、前記補助材料層上でかつ高アスペクト比を有するメタルパターン形成予定領域の片側又は両側に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを用いて前記補助材料層を選択的にエッチング除去し、補助パターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを除去した後、全面にメタル層を形成する工程と、前記メタル層上でかつメタルパターン形成予定領域に第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンを用いて前記メタル層を選択的にエッチング除去する工程と、前記第2のレジストパターンを除去する工程とを具備することを特徴とする高アスペクト比パターンの形成方法。

Fターム (10件)：

5F033HH08 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM17 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033TT08 ,  5F033XX04