薄膜形成用回転塗布装置、半導体装置、及び薄膜の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292872
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134909
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】薄膜形成用回転塗布装置及び薄膜の形成方法において、表面に凹凸パターンのある基板上に平坦な薄膜を高い生産効率で形成することを可能にする。【解決手段】半導体ウエハ1を回転させながら塗布材料を少量滴下し、遠心力によって滴下した塗布材料を薄膜状に広げる。そして、塗布材料10中の溶媒の蒸発工程初期に排気ポンプ8から溶媒を吸引して蒸発速度を大きくし、半導体ウエハ1表面の凹凸に対応する塗布材料10表面の凹凸を生じさせる。塗布材料10表面に凹凸ができることにより、塗布材料10が流動しやすくなる。所定時間後、排気ポンプ8からの吸引を止めて溶媒の蒸発速度を小さくすると、塗布材料10が流動しやすくなっているため、速やかに薄膜表面が平坦化し、その塗布材料10の乾燥稠密化によってほぼ平坦な薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

溶媒と固形成分とを混合した塗布材料を回転する基板上に塗布し、前記塗布材料を遠心力によって前記基板全面に一様に広げ、前記溶媒を蒸発させて前記基板上に前記固形成分の薄膜を形成する薄膜形成用回転塗布装置において、前記溶媒の蒸発工程の初期における前記溶媒の蒸発速度を大きくし、前記溶媒の蒸発工程の途中から前記溶媒の蒸発速度を小さくする蒸発速度制御手段を有することを特徴とする薄膜形成用回転塗布装置。

IPC (8件)：

H01L 21/31 , B05C 5/00 , B05D 1/40 , G03F 7/16 502 , H01L 21/027 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , B05C 11/08

FI (9件)：

H01L 21/31 A , B05C 5/00 Z , B05D 1/40 A , G03F 7/16 502 , H01L 21/316 M , B05C 11/08 , H01L 21/30 564 C , H01L 21/30 564 D , H01L 21/90 Q

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