特許
J-GLOBAL ID：200903073257020951
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335082
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166742
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】反応管内のウェハの位置にかかわらず、当該ウェハ間のシート抵抗の均一性及びデポレートの均一性が向上した半導体装置を製造する半導体製造装置を提供する。【構成】ガス導入口3及びガス排出口3を石英反応管1の上端に、ガス導入口5及びガス排出口4を石英反応管1の下端に各々設け、ガス導入口3とガス排出口4との間にガス流通経路と、ガス導入口5とガス排出口2との間にガス流通経路を形成し、当該ガス流通経路を反応途中で切り換え可能とした。
請求項（抜粋）：
ガス導入口から反応管内にガスを導入し、当該反応管内の所定位置に装入したウェハを処理し、ガス排出口から当該反応管内のガスを排出する半導体製造装置において、前記ガス導入口及びガス排出口を、前記反応管の両端部に各々少なくとも一箇所設け、当該反応管内に、互いに対向する方向となるガスの流通経路を形成し、当該流通経路を切り換え可能としたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/285
, H01L 21/31
