特許
J-GLOBAL ID：200903073257425005
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112005
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 高速動作が可能で、オン電圧が低く、高耐圧でしかも洩れ電流が小さな整流特性を有する半導体装置を提供するものである。【解決手段】 N型で低不純物濃度のシリコン基板11の表面に凹部12を形成して、これらの間にアノード領域13を形成し、凹部の底部にP型で高不純物濃度のカットオフ領域14を形成する。アノード領域13とショットキー接合を形成する金属材料より成るアノード電極18を設け、凹部の内面に形成した金属膜15によってカットオフ領域14をアノード電極に接続する。シリコン基板11の反対側の表面にはN型で高不純物濃度のカソード領域16と、その上のカソード電極17とを形成する。
請求項（抜粋）：
N型の半導体基板と、この半導体基板の一方の表面に形成された複数の凹部と、前記半導体基板の、これら凹部の間にある部分によって形成されたメサ型のアノード領域と、前記凹部の少なくも底部に形成され、逆バイアス時に空乏層を拡げて電流通路を遮断するP型のカットオフ領域と、前記アノード領域の表面に設けられ、アノード領域との間でショットキー接合を形成する金属材料より成るアノード電極と、前記半導体基板の他方の表面に形成されたN型のカソード領域と、このカソード領域に接続されたカソード電極とを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 29/872
H01L 29/91 D
, H01L 29/48 F
