特許
J-GLOBAL ID：200903073257687123
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062902
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267393
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】半導体ICの製造技術における微小化とこれに伴なう高集積化,多ピン化が進んでおり、これに対応できる半導体装置を得る。【構成】半導体チップ1上の半田バンプ2の先端部に、スルーホール4が形成されたシート上の中継板10を配置する。この状態で不活性ガスを使用したりリフロー炉で熱処理を行なうことによって、半田バンプ2をシート状中継板10のパッド5に接続する。またこのICは検査用基板20に加圧した状態で電気的接触を得ることにより、IC単体のままですべての電気的特性評価を行なうことが可能となる。
請求項（抜粋）：
複数のスルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられたパッドとからなるシート状の中継板と、前記スルーホールを介し前記パッドに先端部が接続された半田バンプを有する半導体チップとを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/66
