半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069960
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260485
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体基板に深さの異なる複数のトレンチを、一回のエッチング工程で同時に形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】浅いトレンチ7aの開口幅を、深いトレンチ7bの開口幅より狭く設定し、浅いトレンチ7a部分でマイクロローディング効果が発生するエッチング条件を採用してエッチングする。【効果】浅いトレンチ7aでのエッチングレートが低下するので、この部分でのエッチング量が減少する。一方深いトレンチ7bでのエッチングレートの低下はない。したがって、レジストパターニングやエッチング工程を複数回施すことなく目的が達成され、製造工程の精度とスループットが向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に浅いトレンチと、深いトレンチとを同時に形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記複数のトレンチの形成工程においては、前記浅いトレンチの開口幅を前記深いトレンチの開口幅より狭く設定するとともに、少なくとも前記浅いトレンチにおいてマイクロローディング効果が発生するプラズマエッチング条件を採用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-073822 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-085928
特開平1-232739

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