多結晶シリコンの廃棄物の少ない製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140744
公開番号（公開出願番号）：特開平11-049508
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】多結晶シリコンを廃棄物を少なくして製造する方法を提供する。【解決手段】外部からクロロシラン類を供給することなく、トリクロロシラン10と水素21との反応で高純度シリコン7を製造する際に副生する四塩化珪素3により、金属シリコン1と水素との反応に必要とされる四塩化珪素の全量を賄うことによって、廃棄物を少なくして高純度の多結晶シリコンを製造する方法。また、蒸溜工程において高純度シリコン1トン当たりシリコンとして250Kg以下となる割合で、ヘビーエンドを抜き出す。また、反応生成物を蒸溜に付す前に塩化水素13と反応せしめる。また、反応生成物の蒸溜を多段で行い、精製トリクロロシランと精製四塩化珪素以外の中間抜き出し物に塩化水素13を反応せしめる。

請求項（抜粋）：

(I)金属シリコンと水素と四塩化珪素とを反応せしめてトリクロルシランを含む反応生成物を生成せしめる工程、(II)工程(I)で得られた反応生成物を蒸留に付して精製トリクロロシランと精製四塩化珪素とに分離せしめる工程(III)工程(II)で得られた精製トリクロロシランを水素とともに反応させて高純度シリコンを生成せしめる工程、および(IV)工程(III)における四塩化珪素を含む副生物を工程(II)の蒸留に循環する工程からなる高純度シリコンの製造方法において、工程(I)で用いる四塩化珪素のほぼ全量を工程(III)において副生する四塩化珪素により賄うことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭60-036318
特開昭56-073617
特開平3-285811

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