半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257262
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】隣接する銅配線間の寄生容量を低く抑えたまま、高信頼度かつ低抵抗な銅配線を形成することが困難であった。【解決手段】銅配線の上面にシリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム炭化物、チタン炭化物から選ばれる拡散バリアを設け、この拡散バリア上にエッチストッパ膜と絶縁膜を設け、この絶縁膜に対するエッチストッパ膜のエッチ選択比を10以上とすることにより達成される。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された基体と、上記基体上に形成された開口部を有する第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜に設けられた上記開口部を充填するように形成された銅を主たる成分とする導電体と、上記第1の絶縁膜と上記導電体とを被覆するように形成された拡散バリア膜と、上記拡散バリア膜を被覆するように形成されたエッチストッパ膜と、上記エッチストッパ膜を被覆するように形成された第2の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/302 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/90 A , H01L 21/302 Z , H01L 21/90 M

Fターム (63件)：

5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA12 , 5F004DA13 , 5F004DA14 , 5F004EA23 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM15 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033SS09 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX09 , 5F033XX25 , 5F058AD02 , 5F058AD04 , 5F058AD06 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BD18 , 5F058BJ02

前のページに戻る