特許

J-GLOBAL ID：200903073264034976

半導体装置の製造方法

発明者： 大見 忠弘
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144804
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置の製造が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁膜/半導体界面を有する半導体装置の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素活性種を接触させることを特徴とする。上記水素活性溜は、例えば、300°C以上の温度に加熱したニッケルまたはニッケルを含む材料に、水素ガスまたは水素を含むガスを接触させることにより生成せしめる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜/半導体界面を有する半導体装置の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素活性種を接触させることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31